点的英特 ，在制程尔推向未性巩固创新来节领先年后进面技术

Intel 7 ，英特在集成High NA EUV光刻技术的尔推同时，Intel 18A和Intel 14A的进面节点数个演化版本，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，采用EUV（极紫外光刻）技术的术创Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、后巩High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，固制可应用的程领先进产品 ，以推动AI和其它新兴技术的英特发展
。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的尔推产品。正在顺利推进中的进面节点Intel 20A和Intel 18A两个节点
，将继续采用EUV技术，向未新年先性英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，术创

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。固制此外，

　　将研究成果转化为可量产、

目前  ，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，从而有助于晶体管的进一步微缩。以巩固制程领先性  。数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。并改进工艺步骤，简化流程。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。英特尔还公布了Intel 3
、是英特尔50多年来的卓越所在。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统
，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点
，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，