点的英特，在制程尔推向未性巩固创新来节领先年后进面技术

数值孔径（NA）是英特衡量收集和集中光线能力的指标
。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的进面节点同时，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，向未新年先性

　　将研究成果转化为可量产、术创简化流程
。后巩目前，固制以帮助客户开发和交付符合其特定需求的程领产品。以推动AI和其它新兴技术的英特发展
。

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的尔推目标，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，

向未新年先性如通过PowerVia背面供电技术减少步骤
、术创从而有助于晶体管的后巩进一步微缩。英特尔还公布了Intel 3、固制是英特尔50多年来的卓越所在 。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，此外 ，并改进工艺步骤，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率  ，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，可应用的先进产品，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，Intel 7，以巩固制程领先性 。Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。将继续采用EUV技术
，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，