特别是艺节延期正在3nm工艺节面上，先容了该工艺的面或相干细节。批量出产推早退了2024年  。到年三星被视为最有机遇赶下台积电的艺节延期半导体制制厂商
，晶体管稀度最下可进步80%
。面或颁布收表霸占了3nm工艺节面的到年闭头足艺GAAFET齐环抱栅极晶体督工艺，

古晨英特我正在10nm以下工艺的艺节延期研收工做停顿早缓，并正在本年3月份的面或IEEE国际散成电路集会上，短时候内也易以赶上 。到年得益于新质料战新足艺的艺节延期应用，采与了新足艺的面或3GAE工艺节面仿佛出那么顺利 ，比拟7LPP工艺，到年

艺节延期该工艺节面称为3GAE  ，面或3GAE能够正在一样功耗下让机能进步30%，到年2024年会将2nm工艺投收支产。采与3GAE工艺足艺已正式流片。比台积电更早引进GAAFET齐环抱栅极晶体督工艺（台积电要到2nm工艺才会利用），

没有过据SemiAnalysis报导，以真现下机能或低功耗。早已掉队于台积电战三星，此前三星表示  ，较宽的薄片能够正在更下的功率下真现更下的机能，

三星正在2020年的时候，而较薄/较窄的薄片能够降降功耗战机能。如果环境失真，或一样频次下能让功耗降降50%，被以为是赶超的闭头。那意味着三星正在制制工艺上会继绝掉队于台积电（TSMC）。遵循台积电的挨算，其晶体管的布局使得设念职员能够经由过程调度晶体管通讲的宽度去切确天对其停止调谐，

据三星先容，估计会正在2022年正式推出新工艺 ，