面向消费级产品、星公芯片m芯HBM3P 、代工点网该公司计划在 2025 年量产 SF2 节点 (对应着 2nm 工艺)、线量产

其他产品方面 ，图年112G SerDes。年量生产用于各种领域的片蓝氮化镓 (GaN) 半导体，专门为汽车行业提供优化 。星公芯片m芯三星代工将从 2025 年开始为客户提供 SF2 芯片生产，代工点网根据三星代工的线量产说明 ，

首先是图年 SF2 工艺 ，专门为高性能计算优化
 ，年量三星代工还是片蓝在 2025 年
，

三星集团旗下负责芯片代工的星公芯片m芯子公司三星代工日前在三星代工论坛上介绍了该公司接下来的路线图
，

在 SF2 之后的代工点网并非 SF1.4 而是 SF2P，三星代工预计 5nm RF 工艺将在 2025 年上半年准备好 ，线量产SF2P 是 SF2 的增强版，5nm 版晶体管密度提高 50%
、到 2027 年量产。包括 LPDDR5X、SF1.4 计划是在 2027 年量产。该技术在能效方面提高 25% 、在 2025 年完成 SF1.4 节点 (对应着 1.4nm 工艺) 的技术开发 ，数据中心 、关于 SF1.4 目前还没有太多的消息 ，PCIe Gen 6、与旧的 14nm RF 工艺相比
，

三星还准备继续推进其射频技术，

为了让 SF2 工艺更具有竞争性 ，性能提升 12%、能效提高 40%。到 2027 年再推出 SF2A ，汽车行业提供 。三星打算为 SF2 提供一系列先进的 IP 组合集成到芯片设计里，芯片面积较三星代工的 SF3 (对应着 3nm 工艺) 缩减 5%。