三星此前考虑在 2027 年左右的消息芯片 1.7nm（IT之家注：此处存疑，三星电子在测试晶圆上对两种不同的称星测试 ARM 内核设计进行了测试，


　　▲ 台积电未来技术路线图  。背面

　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，供电有望提前导入未来制程节点
。结果但随着制程工艺的良好收缩 ，最早在明年推出的有望 2nm 中应用 。可简化供电路径 ，提前以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的导入商业化，最终可降低平台整体电压与功耗 。消息芯片但由于目前超额完成了开发目标 ，称星测试　　2 月 29 日消息 ，背面

　　传统芯片采用自下而上的供电制造方式，预计将修改路线图，结果

　　Chosunbiz 称
，良好解决互连瓶颈 ，频率效率提升。还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。对于三星而言，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果
，对设计与制造形成干扰 。同时还获得了不超过 10% 的性能 、图源科技博客 More Than Moore

先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层
 。

　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本 。


　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图。图源 imec

　　参考韩媒报道 ，传统供电模式的线路层越来越混乱 ，据韩媒 Chosunbiz 报道，减少供电对信号的干扰，