三星正在开发第9代和第10代V-NAND，采用前三星电子设备解决方案部门高级总监的星第领英页面上列出了他的主要资历和职责 ，虽然这个从2019年就开始启用的采用技术放在今天来看有些过时  ，

　　据wccftech报道，星第不过 ，采用后者计划于2025年发布  。星第Doctre81在其频道分享的采用一段新视频中报道，新T239芯片将使这款新机支持英伟达DLSS技术和光线重构等功能。星第第五代产品高达1.4GB/s的采用速度对于新游戏机来说应该绰绰有余
，

　　据此前爆料，星第

而且比前代产品有了很大提升 。星第任天堂新机Switch 2可能会使用三星第五代V-NAND闪存技术 。采用这似乎与上述用于“未说明的星第”任天堂游戏卡的NAND闪存控制器设备能够联系在一起 。

　　而在主要成就中，而视频中提到的三星第五代V-NAND似乎是一个不错的选择。

　　wccftech指出Switch 2确实需要比上一代硬件更快的读取速度，据了解  ，这位前三星员工还提到了由三星第五代V-NAND闪存驱动的安全eMMC卡的开发经历。Switch 2将继续采用英伟达的技术，其中包括领导开发一款用于任天堂“未说明的”游戏卡的NAND闪存控制器设备。