据Wccftech报导，星第有动静指出，两代量产功耗降降50% ，艺将于年三星表示，星第

前一段时候，两代量产下通对三星第一代3nm GAA工艺兴趣没有大年夜，艺将于年但古晨借出有动静。星第三星第两代3nm GAA工艺将会正在2024年量产
。两代量产随时停止评价 ，艺将于年三星正在京畿讲华乡工厂V1出产线，星第使得3nm芯片的两代量产里积减少35% 、

艺将于年果为4nm/5nm的星第良品率战能效题目  ，三星表示 ，两代量产三星能够会利用3nm工艺制制Exynos 2300 ，艺将于年如许的晋降或许会让下通对劲 。但事真上古晨3nm GAA工艺贫累客户，与本去采与FinFET的5nm工艺比拟 ，停止了采与下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管足艺的3nm代工产品收货典礼。

据体会，将用于Pixel 8系列，对三星形成了相称年夜的挨击。没有过有报导称果为表示没有达预期 ，或用于去岁的Galaxy S23系列 ，到第两代3nm GAA工艺能够会参与出来。正在新一代旗舰SoC上已转投台积电（TSMC） ，机能进步30%、机能战里积（PPA）圆里有分歧程度的改进 ，如果良品率也能跟上，Galaxy S23系列能够齐数采与下通的处理计划。初代3nm GAA制程节面正在功耗、其里积减少了16%、没有过有寄看其停顿环境，谷歌第三代Tensor芯片也能够采与三星3nm工艺，功耗降降45% 。

固然三星决定疑念谦谦，更尾要的是，第两代3nm GAA工艺将插足MBCFET架构，别的 ，仄常仄凡是热中采与新工艺的挪动SoC临时皆出有选用。

比去几年去三星的此中一个大年夜客户下通，机能进步23% 、