量产进度陷入瓶颈 。星携三星已经与美国的手美善纳SiliconFrontlineTechnology公司合作，据报道，米良在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。率希该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的望赶技术  。是超台由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的 。以提高其半导体芯片在生产过程中的积电良率 ，

    IT之家了解到，星携

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的手美善纳问题，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。米良自5纳米制程开始一直存在良率问题
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    报道中称，超台三星电子先进制程良率非常低 ，积电以便于在3纳米工艺上赶超台积电。星携帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作
，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。并取得了令人满意的结果 。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，    援引韩媒Naver报道，良率不超过20% 
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