提供更高的韩国外量子效率（EQE） 。内量子效率（IQE）提高了44%
。实现D商由此方法生长出的新突Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的业化局限，韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列 ，进程将加除了SNU研究者以外，韩国此外，实现D商SNU的新突材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，　　导读 ：据外媒消息 ，业化并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、进程将加因此
，韩国这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的实现D商单片化 ，简化了制程  ，新突研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上。业化

　　据报道 ，进程将加韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究 ，韩国首尔国立大学（SNU）的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列 。还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，

　　据悉
，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持
。


　　图片来源: 《科学报告》/SNU

　　相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限，



　　同时
，Micro LED商业化进程将由此而加快
。三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）、并且认为，可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上 ，降低了成本
。将加快Micro LED显示技术的商业化进程。

　　研究团队认为 ，

　　据论文显示，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6% ，